Memahami struktur, prinsip operasi, daerah kerja, rangkaian bias DC, model sinyal kecil hybrid-π, tiga konfigurasi dasar, serta analisis penguat BJT sebagai komponen aktif fundamental.
Estimasi 50 menit
6 contoh soal
8 pertanyaan
5.1 Struktur BJT: NPN dan PNP
BJT (Bipolar Junction Transistor) terdiri dari tiga lapisan semikonduktor yang membentuk dua junction PN berturut-turut: emitter-base (J_EB) dan collector-base (J_CB). Ketiga terminal disebut Emitter (E), Base (B), dan Collector (C). Istilah "bipolar" merujuk pada keterlibatan dua jenis pembawa muatan — elektron dan hole — dalam proses konduksinya.
Gambar 5.1 — Struktur lapisan BJT NPN dan PNP dengan dua junction PN
Perbedaan fisik utama antara ketiga region:
Geser untuk melihat selengkapnya
Region
Doping
Lebar Fisik
Fungsi Utama
Emitter
Sangat tinggi ($10^{19}$–$10^{20}$ cm$^{-3}$)
Sedang
Menginjeksikan pembawa muatan mayoritas ke base
Base
Rendah ($10^{15}$–$10^{16}$ cm$^{-3}$)
Sangat tipis (~0,5–2 µm)
Mengontrol arus dari emitter ke collector
Collector
Sedang ($10^{15}$–$10^{16}$ cm$^{-3}$)
Lebar
Mengumpulkan pembawa muatan dari emitter
Desain Asimetris — Bukan Dua Dioda
BJT bukan sekadar dua dioda yang disatukan. Perbedaan kritis: base sangat tipis dan lightly doped agar mayoritas carrier dari emitter dapat "menembus" (diffuse through) base dan sampai ke collector sebelum berekombinasi. Jika base tebal atau heavily doped, hampir semua carrier akan rekombinasi di base dan transistor tidak akan berfungsi sebagai penguat. Selain itu, area collector sengaja dibuat lebih besar dari emitter untuk menangkap carrier secara efisien dan mendisipasi panas.
Simbol Skematik
Gambar 5.2 — Simbol skematik BJT. Panah pada emitter menunjukkan arah arus konvensional
Cara Mengingat Arah Panah
Panah pada emitter selalu menunjuk menjauhi base untuk NPN (arrow out) dan menuju base untuk PNP (arrow in). Atau lebih mudah: panah menunjuk arah arus konvensional pada emitter. Pada NPN, arus emitter keluar. Pada PNP, arus emitter masuk.
5.2 Operasi Dasar BJT (Active Mode)
BJT NPN dalam Active Mode
Untuk NPN beroperasi di active mode: junction EB di-forward bias ($V_{BE} \approx 0{,}7$ V untuk silikon), junction CB di-reverse bias ($V_{CB} > 0$). Proses fisiknya terdiri dari tiga tahap:
Injeksi (Injection) — Karena J_EB forward-biased, elektron mayoritas dari emitter (N) melewati junction dan masuk ke region base (P). Arus ini disebut emitter current $I_E$.
Transportasi (Transport) — Karena base sangat tipis dan lightly doped, hanya sebagian kecil elektron (~1–5%) yang berekombinasi dengan hole di base. Elektron yang rekombinasi ini membentuk base current $I_B$.
Koleksi (Collection) — Mayoritas elektron (~95–99%) yang berhasil menembus base tertarik oleh medan listrik junction CB yang reverse-biased, lalu dikumpulkan oleh collector membentuk collector current $I_C$.
BJT PNP dalam Active Mode
Untuk PNP, polaritas dibalik: junction EB forward-biased ($V_{EB} \approx 0{,}7$ V), junction CB reverse-biased ($V_{BC} > 0$). Pembawa muatan mayoritas yang berperan kini adalah hole dari emitter (P). Hole diinjeksikan ke base (N), sedikit rekombinasi, dan mayoritas dikumpulkan collector (P). Seluruh arus berbalik arah dibanding NPN, tetapi hubungan matematika $I_E = I_B + I_C$ tetap berlaku.
BJT sebagai Sumber Arus Terkendali Tegangan
Dari perspektif fisik, BJT pada dasarnya adalah sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan: tegangan $V_{BE}$ mengontrol arus collector $I_C$ melalui hubungan eksponensial $I_C = I_S e^{V_{BE}/V_T}$. Dalam model sinyal kecil, ini dinyatakan sebagai $i_c = g_m v_{be}$, di mana $g_m$ adalah transkonduktansi. Meskipun dalam analisis rangkaian kita sering menggunakan $\beta I_B$ untuk kemudahan, mekanisme pengendalian yang mendasari adalah tegangan, bukan arus.
Hubungan Arus BJT
Hukum Kirchhoff di Transistor
$$I_E = I_B + I_C$$
Penguatan Arus DC — Common Emitter ($\beta_{DC}$ atau $h_{FE}$)
$$\beta_{DC} = h_{FE} = \frac{I_C}{I_B}$$
Penguatan Arus DC — Common Base ($\alpha_{DC}$)
$$\alpha_{DC} = \frac{I_C}{I_E}$$
Untuk BJT silikon umum: $\beta$ berkisar antara 50 hingga 400. Transistor daya umumnya memiliki $\beta$ lebih rendah (10–80). $\alpha$ selalu sedikit di bawah 1, tipikal 0,98 – 0,998. Contoh: jika $\beta = 100$ maka $\alpha = 100/101 \approx 0{,}990$.
5.3 Daerah Operasi BJT
Kombinasi bias pada kedua junction menentukan daerah operasi BJT. Untuk BJT NPN:
Geser untuk melihat selengkapnya
Daerah
Junction EB
Junction CB
Karakteristik Utama
Aplikasi
Cutoff
Reverse / Zero
Reverse
$I_C \approx 0$, $V_{CE} \approx V_{CC}$
Saklar terbuka (OFF)
Active
Forward
Reverse
$I_C = \beta I_B$, $V_{CE} > V_{CE(sat)}$
Penguat (amplifier)
Saturation
Forward
Forward
$V_{CE} = V_{CE(sat)} \approx 0{,}1$–$0{,}3$ V
Saklar tertutup (ON)
Inverse Active
Reverse
Forward
$I_C$ kecil, $\beta_{reverse} \ll \beta$
Hampir tidak pernah digunakan
Tegangan Saturation $V_{CE(sat)}$
Dalam saturasi, kedua junction forward-biased sehingga $V_{CE}$ turun sangat rendah. Untuk transistor sinyal kecil silikon: $V_{CE(sat)} \approx 0{,}1$–$0{,}3$ V. Nilai ini bukan nol — ada residual voltage drop yang perlu diperhitungkan dalam desain saklar digital.
Gambar 5.3 — Daerah operasi BJT pada kurva keluarga I_C vs V_CE dengan titik kerja Q
5.4 Rangkaian Bias DC
Untuk mengoperasikan BJT sebagai penguat, kita perlu menetapkan titik kerja DC (quiescent point atau Q-point) di daerah active. Q-point ditentukan oleh nilai $(I_{CQ}, V_{CEQ})$ yang harus stabil terhadap variasi suhu dan perubahan $\beta$ antar transistor.
A. Fixed Bias (Bias Tetap)
Konfigurasi paling sederhana — satu resistor $R_B$ dari $V_{CC}$ ke base, resistor $R_C$ dari $V_{CC}$ ke collector.
Q-point sangat bergantung pada $\beta$. Karena $\beta$ bervariasi antar transistor dan meningkat seiring suhu (~1%/°C), fixed bias menghasilkan stabilitas Q-point yang sangat buruk.
B. Voltage Divider Bias (Bias Pembagi Tegangan)
Konfigurasi paling umum dan paling stabil. Dua resistor ($R_1$, $R_2$) membentuk pembagi tegangan di base. Resistor emitter $R_E$ menyediakan umpan balik negatif DC.
Jika suhu naik → $\beta$ naik → $I_C$ cenderung naik → $V_E = I_E R_E$ naik → $V_{BE} = V_B - V_E$ turun → $I_B$ turun → $I_C$ turun kembali. Ini adalah negative feedback DC otomatis yang dihasilkan oleh $R_E$, disebut emitter degeneration.
C. Collector-to-Base Feedback Bias
Resistor $R_B$ dihubungkan dari collector ke base. Jika $I_C$ naik, $V_C$ turun, mengurangi $I_B$, sehingga menstabilkan $I_C$. Stabilitasnya berada di antara fixed bias dan voltage divider bias.
Gambar 5.6 — Rangkaian Collector-to-Base Feedback Bias (NPN)
BJT memiliki tiga terminal, sehingga ada tiga cara mengkonfigurasi rangkaian — tergantung terminal mana yang menjadi common (ground/bersama) antara input dan output.
Common Emitter (CE)
Common Base (CB)
Common Collector (CC)
Geser untuk melihat selengkapnya
Konfigurasi
Input
Output
Common
Kapasitor Bypass pada
Common Emitter (CE)
Base
Collector
Emitter
$C_E$ sejajar $R_E$
Common Base (CB)
Emitter
Collector
Base
$C_B$ dari base ke ground
Common Collector (CC)
Base
Emitter
Collector
Tidak perlu (collector ke $V_{CC}$)
Ketiga konfigurasi dapat dibangun dari rangkaian bias yang sama. Perbedaan utama terletak pada di mana sinyal AC dimasukkan, di mana output diambil, dan terminal mana yang di-AC-ground melalui kapasitor bypass.
Gambar 5.7 — Rangkaian Voltage Divider Bias dalam Tiga Konfigurasi
(a) Common Emitter (CE)
(b) Common Base (CB)
(c) Common Collector (CC)
Ekivalen Thévenin Jaringan Bias
Sebelum menganalisis sinyal kecil, rangkaian bias $R_1$–$R_2$ pada base disederhanakan menjadi ekivalen Thévenin, memisahkan analisis DC dari analisis AC.
Gambar 5.8 — Ekivalen Thévenin Jaringan Bias pada Base
5.6 Model Sinyal Kecil Hybrid-π
Untuk menganalisis perilaku AC BJT di sekitar titik kerja DC, kita mengganti transistor dengan model sinyal kecil. Model yang paling umum dan paling kuat adalah hybrid-π (pi model). Model ini menggunakan sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan ($g_m v_\pi$), bukan oleh arus — mencerminkan mekanisme fisik transistor yang sesungguhnya.
Derivasi Parameter Hybrid-π
Arus kolektor transistor mengikuti hubungan eksponensial (model Ebers–Moll):
$r_\pi$ adalah resistansi dinamis yang "terlihat" dari terminal base. Pada $\beta = 100$, $I_C = 1\text{ mA}$: $r_\pi = 100 \times 26 = 2{,}6\text{ k}\Omega$.
3. Resistansi Output $r_o$ (Efek Early)
Karena Early effect, kurva $I_C$ vs $V_{CE}$ sedikit miring (tidak horizontal sempurna). Ini dimodelkan sebagai resistor $r_o$ paralel dengan sumber arus:
$V_A$ adalah tegangan Early (tipikal 50–300 V untuk transistor sinyal kecil). Pada $V_A = 100\text{ V}$, $I_C = 1\text{ mA}$: $r_o = 100\text{ k}\Omega$. Dalam analisis first-order, $r_o$ sering diabaikan jika $r_o \gg R_C$.
Hubungan dengan Model $r_e$
Beberapa buku teks menggunakan model $r_e$ yang lebih sederhana, di mana $r_e = V_T/I_E \approx 26\text{mV}/I_E$. Hubungannya dengan model hybrid-π: $r_\pi = \beta \, r_e$. Sumber arus dalam model $r_e$ ditulis $\beta I_b$, sedangkan dalam hybrid-π ditulis $g_m v_\pi$. Keduanya setara karena $g_m v_\pi = g_m (i_b \, r_\pi) = (I_C/V_T)(\beta V_T/I_C) \, i_b = \beta i_b$. Model hybrid-π dipilih di sini karena lebih fleksibel — mudah menambahkan $r_o$, kapasitansi $C_\pi$ dan $C_\mu$ untuk analisis frekuensi tinggi, dan konsisten dengan model FET.
Diagram Model Hybrid-π
Gambar 5.9 — Model Sinyal Kecil Hybrid-π. $r_o$ (garis putus-putus) sering diabaikan jika $r_o \gg R_C$
Ketiga parameter ($g_m$, $r_\pi$, $r_o$) bukan konstanta transistor — nilainya ditentukan oleh arus DC bias $I_C$ (dan $V_A$ untuk $r_o$). Oleh karena itu, langkah pertama dalam setiap analisis sinyal kecil selalu menghitung Q-point DC terlebih dahulu, lalu menentukan parameter model dari $I_C$ tersebut.
5.7 Analisis Sinyal Kecil: Common Emitter (CE)
Pada konfigurasi CE, sinyal input masuk melalui base, output diambil dari collector, dan emitter di-AC-ground melalui kapasitor bypass $C_E$. Dalam domain AC, $R_1$ dan $R_2$ keduanya terhubung dari base ke AC ground, sehingga muncul paralel: $R_{th} = R_1 \parallel R_2$.
Gambar 5.10 — Model Sinyal Kecil CE dengan Hybrid-π
Derivasi Parameter CE
Dari Gambar 5.10, tidak ada koneksi langsung antara B dan C — kopling hanya melalui sumber arus $g_m v_\pi$ yang mengalir dari collector ke emitter (AC ground). Tegangan $v_\pi$ adalah tegangan across $r_\pi$ (antara B dan E).
Tanda negatif = pembalikan fasa 180°. Bentuk $-R_C/r_e$ setara karena $g_m = 1/r_e$ (dengan $r_e = V_T/I_E \approx 26\text{mV}/I_E$). Penguatan sangat bergantung pada rasio $R_C/r_e$.
Jika $C_E$ tidak dipasang: $Z_{in} = R_{th} \parallel [r_\pi + (\beta+1)R_E]$ dan $A_v = -g_m R_C / [1 + g_m R_E] \approx -R_C/R_E$ jika $g_m R_E \gg 1$. Penguatan turun drastis tetapi stabilitas meningkat — ini disebut emitter degeneration.
Pada konfigurasi CB, sinyal input masuk melalui emitter, output diambil dari collector, dan base di-AC-ground melalui $C_B$. Perhatikan: E dan C hanya terhubung melalui sumber arus $g_m v_\pi$ — tidak ada koneksi langsung.
Gambar 5.11 — Model Sinyal Kecil CB dengan Hybrid-π
Derivasi Parameter CB
Kunci analisis CB: karena B adalah AC ground, $v_\pi = v_b - v_e = 0 - v_e = -v_e = -V_{in}$. Sumber arus menghasilkan $g_m v_\pi = -g_m V_{in}$ yang mengalir dari C ke E (arah panah). Arus negatif C→E berarti arus positif E→C, yaitu arus masuk ke collector.
Penguatan tegangan CB hampir sama besar dengan CE, tetapi tanpa pembalikan fasa (positif). Faktor $\alpha \approx 0{,}99$ membuatnya sedikit lebih kecil dari CE secara eksak, tapi dalam praktik hampir identik.
Penguatan Arus
Dengan $I_{in} = i_e$ (arus dari sumber ke emitter) dan $I_{out} = i_c$ (arus dari collector ke beban):
$$\boxed{A_i = \frac{i_c}{i_e} = \alpha}$$
Penguatan arus CB adalah $\alpha < 1$ — artinya arus output lebih kecil dari arus input. Ini bukan konfigurasi untuk penguatan arus. Keunggulan CB terletak pada bandwidth tinggi (karena impedansi input rendah mengurangi efek kapasitansi Miller) dan penguatan tegangan tanpa pembalikan fasa.
Impedansi Output
$$\boxed{Z_{out} \approx R_C}$$
(Dengan $r_o$: $Z_{out} = R_C \parallel r_o$. Pada CB, $r_o$ yang terlihat dari collector jauh lebih besar karena base grounded — secara eksak $r_{out} \approx r_o(1 + g_m R_s')$ untuk sumber impedansi $R_s'$. Namun jika $R_C \ll r_o$, tetap $Z_{out} \approx R_C$.)
5.9 Analisis Sinyal Kecil: Common Collector (CC)
Pada konfigurasi CC (emitter follower), input masuk melalui base, output diambil dari emitter, dan collector terhubung langsung ke $V_{CC}$ (AC ground). Tidak perlu kapasitor bypass tambahan.
Gambar 5.12 — Model Sinyal Kecil CC dengan Hybrid-π
Derivasi Parameter CC
Arus $i_b$ mengalir dari base melalui $r_\pi$ ke node emitter. Di node emitter, arus $g_m v_\pi$ dari sumber arus (dari collector/AC ground) bergabung, sehingga total arus melalui $R_E$ adalah $i_b + g_m v_\pi = i_b + \beta i_b = (\beta+1)i_b$.
Karena $R_E \gg r_e$, maka $A_v \approx 1$ (tipikal 0,95–0,99). Tidak ada pembalikan fasa — output "mengikuti" input, sehingga disebut emitter follower.
Sangat rendah (tipikal 1–50 Ω). Faktor pembagi $(\beta+1)$ membuat impedansi sumber yang terlihat dari emitter menjadi sangat kecil — inilah sifat kunci yang membuat CC menjadi buffer ideal.
Perbandingan Hasil Analisis Sinyal Kecil
Geser untuk melihat selengkapnya
Parameter
CE
CB
CC
$Z_{in}$
$R_{th} \parallel r_\pi$ Sedang
$r_e$ Sangat rendah
$R_{th} \parallel [r_\pi+(\beta\!+\!1)R_E]$ Tinggi
$A_v$
$-g_m R_C = -\dfrac{R_C}{r_e}$ Tinggi, 180°
$g_m R_C = \dfrac{R_C}{r_e}$ Tinggi, 0°
$\dfrac{R_E}{r_e + R_E} \approx 1$ ≈ 1, 0°
$A_i$
$-\beta \cdot \dfrac{R_{th}}{R_{th}+r_\pi}$ ≈ −β
$\alpha$ < 1
$\approx \beta+1$ Tinggi
$Z_{out}$
$R_C$
$R_C$
$r_e + \dfrac{R_s \parallel R_{th}}{\beta+1}$
Fasa
180°
0°
0°
Aplikasi utama
Penguat umum
Frekuensi tinggi
Buffer impedansi
Konsistensi Model
Ketiga analisis menggunakan komponen transistor yang sama ($r_\pi$ dan $g_m v_\pi$). Satu-satunya perbedaan adalah terminal mana yang di-ground, di mana input masuk, dan di mana output keluar. Transistornya sama — hanya "jendela pengamatan" yang berbeda. Parameter $g_m$ dan $r_\pi$ dihitung sekali dari Q-point DC, lalu digunakan di semua konfigurasi.
5.10 Contoh Soal
Contoh 5.1 — Relasi $\alpha$ dan $\beta$
Sebuah BJT memiliki $\beta_{DC} = 150$. Hitung $\alpha_{DC}$. Jika $I_B = 20\ \mu\text{A}$, tentukan $I_C$ dan $I_E$.
Contoh ini menunjukkan kelemahan fatal fixed bias: dengan $\beta = 100$, transistor sudah saturasi. Jika $\beta$ lebih tinggi (misalnya 200), saturasi lebih parah. Fixed bias tidak praktis untuk penguat — hanya digunakan sebagai saklar digital di mana saturasi justru diinginkan.
Jawaban
Q-point: $I_{CQ} \approx 1{,}93\ \text{mA}$, $V_{CEQ} \approx 8{,}82\ \text{V}$ — berada di daerah active ✓
Contoh 5.4 — Parameter Hybrid-π
Transistor di-bias pada $I_C = 2\text{ mA}$ dengan $\beta = 100$ dan $V_A = 100\text{ V}$. Hitung $g_m$, $r_\pi$, dan $r_o$ pada suhu kamar ($V_T = 26\text{ mV}$).
Gunakan parameter dari Contoh 5.4. Rangkaian CE dengan $R_C = 4{,}7\text{ k}\Omega$ dan $R_{TH} = 10\text{ k}\Omega$. Hitung $Z_{in}$, $A_v$, dan $Z_{out}$. Abaikan $r_o$.
Interpretasi: Penguatan $|A_v| \approx 361$ sangat tinggi, tetapi perhatikan bahwa penguatan dari sumber (termasuk pembagi tegangan input) jauh lebih kecil:
$$A_{vs} = A_v \times \frac{Z_{in}}{Z_{in} + R_s}$$ Jika sumber memiliki $R_s = 600\ \Omega$: $A_{vs} = -361 \times \frac{1\,150}{1\,750} \approx -237$.
Sebuah emitter follower di-bias pada $I_E = 5\text{ mA}$ dengan $R_E = 1{,}5\text{ k}\Omega$, $\beta = 80$, dan $R_{TH} = 10\text{ k}\Omega$. Sumber sinyal memiliki $R_s = 2\text{ k}\Omega$. Hitung $Z_{in}$, $A_v$, $Z_{out}$, dan $A_i$. Bandingkan $A_v$ dari sumber ke beban dengan dan tanpa buffer.
Perbandingan dengan dan tanpa buffer: Tanpa buffer (sumber $R_s = 2\text{ k}\Omega$ langsung ke beban $R_E = 1{,}5\text{ k}\Omega$):
$$A_{v(\text{tanpa})} = \frac{R_E}{R_s + R_E} = \frac{1{,}5}{2 + 1{,}5} = 0{,}4286$$ Dengan buffer CC:
$$A_{vs(\text{buffer})} = A_v \times \frac{Z_{in}}{Z_{in} + R_s} = 0{,}9965 \times \frac{9{,}24}{9{,}24 + 2} = 0{,}9965 \times 0{,}822 \approx 0{,}819$$ Peningkatan dari 0,43 menjadi 0,82 — hampir dua kali lipat, dan $Z_{out}$ turun dari $1{,}5\text{ k}\Omega$ menjadi hanya $5{,}2\ \Omega$!
Meskipun $A_v \approx 1$ (bukan penguat tegangan), CC memberikan penguatan impedansi: mengubah impedansi yang terlihat oleh sumber dari $9{,}24\text{ k}\Omega$ menjadi $\sim\!5\ \Omega$ di output. Ini sangat berharga saat sumber berimpedansi tinggi harus mengendarai beban berimpedansi rendah — tanpa CC, sinyal akan "tertimun" oleh pembagi tegangan.
5.11 Pertanyaan Latihan
Jawablah pertanyaan-pertanyaan berikut untuk menguji pemahaman Anda.
Soal 1
Mengapa base BJT harus tipis dan lightly doped? Jelaskan secara fisik apa yang terjadi pada $\beta$ jika base dibuat tebal dan heavily doped.
Soal 2
Sebuah BJT memiliki $\alpha = 0{,}98$. Hitung $\beta$. Jika $I_B = 25\ \mu\text{A}$, hitung $I_C$ dan $I_E$. Berapa persentase elektron dari emitter yang sampai ke collector?
Soal 3
Rangkaian fixed bias: $V_{CC}=10\text{ V}$, $R_B=200\text{ k}\Omega$, $R_C=1\text{ k}\Omega$, $\beta=200$. (a) Hitung Q-point. (b) Jika $\beta$ berubah menjadi 100, berapa Q-point baru? (c) Hitung faktor stabilitas $S$.
Soal 4
Voltage divider bias: $V_{CC}=20\text{ V}$, $R_1=56\text{ k}\Omega$, $R_2=12\text{ k}\Omega$, $R_C=3{,}3\text{ k}\Omega$, $R_E=1{,}5\text{ k}\Omega$, $\beta=120$. Hitung Q-point menggunakan aproksimasi, lalu verifikasi apakah kondisi $\beta R_E \gg R_{TH}$ terpenuhi.
Soal 5
Transistor di-bias pada $I_C = 2\text{ mA}$ dengan $\beta = 150$. Hitung $g_m$, $r_\pi$, dan $r_o$ (dengan $V_A = 100\text{ V}$). Jika transistor digunakan dalam konfigurasi CE dengan $R_C = 4{,}7\text{ k}\Omega$ dan $R_{th} = 10\text{ k}\Omega$, hitung $Z_{in}$, $A_v$, dan $Z_{out}$.
Soal 6
Sebuah emitter follower dengan $R_E = 2{,}2\text{ k}\Omega$ dan $\beta = 75$ digunakan untuk menghubungkan sumber dengan $R_S = 10\text{ k}\Omega$ ke beban. (a) Hitung $Z_{in}$ dan $Z_{out}$ (dengan $I_E = 3\text{ mA}$). (b) Hitung $A_v$ dari sumber ke beban tanpa dan dengan buffer CC. Mengapa CC lebih baik?
Soal 7
Apa yang dimaksud dengan Early effect? Jelaskan mekanisme fisiknya dan pengaruhnya terhadap: (a) bentuk kurva output $I_C$ vs $V_{CE}$, (b) nilai $\beta$ efektif, dan (c) impedansi output transistor. Bagaimana $r_o$ dalam model hybrid-π memodelkan efek ini?
Soal 8
Dua transistor dengan tipe sama: A memiliki $\beta = 100$, B memiliki $\beta = 250$. Jika keduanya digunakan pada rangkaian (a) fixed bias dan (b) voltage divider bias (dengan $\beta R_E = 20 \times R_{TH}$), hitung perubahan relatif $I_C$ dari A ke B pada masing-masing rangkaian. Kesimpulan apa yang bisa Anda tarik?