Simulasi Interaktif

Penguat Common Source MOSFET

Common Source, Enhancement N-channel, voltage divider bias. Input AC 10 mV_pk, 1 kHz. Atur R₁, R₂, R_S, R_D dan tipe MOSFET untuk mengamati Q-point, penguatan, dan distorsi clipping.

Rangkaian Kuning = variabel

geser untuk melihat

V_DD=12V v_in=10mV_pk f=1kHz I_G=0

Parameter Variabel

R₁ (Upper Divider) 47 kΩ

10k47k220k

R₂ (Lower Divider) 15 kΩ

4.7k15k100k

R_S (Source) 1.0 kΩ

100Ω1k5k

R_D (Drain) 4.7 kΩ

500Ω4.7k10k

Tipe MOSFET (E-NChannel)

C_S Bypass

Aktif = gain maks
Nonaktif = degenerasi source

Thevenin: V_GG = 2.90 V R₁∥R₂ = 11.34 kΩ

Waveform

v_in v_out Clip

Hasil Perhitungan

Parameter	Simbol	Nilai	Satuan	Keterangan

Asumsi: Enhancement N-channel MOSFET. Square-law tanpa CLM (λ=0). C₁, C₂, C_S ideal. Body → source. I_D = k(V_GS−V_TH)² saturasi. Q-point analitik (kuadratik). Bandingkan tipe 1–3 (V_TH sama, k berbeda) dan tipe 2 vs 4 (k sama, V_TH berbeda).

Kembali ke Bab 6